玄武石Logo
400电话图片
联系我们
玄武石半导体(武汉)有限公司
地址:武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋1103室
电话:13627294085
网址:www.bstsemi.com
产品展示
当前位置:首页 > 产品中心

650V 75A IGBT



功能简述

BSTG75V650是一款额定650V耐压和75A电流输出的IGBT芯片,适于工业UPS、焊接机、太阳能转换器、储能、电动汽车充电器等应用场景。

特性

低开关功率损耗

低开关浪涌与噪声

先进的场截止技术

EMI

最大结温175℃

符合JEDEC标准,适用于目标应用

AEC-Q100认证,适用于汽车电子

符合RoHS标准

规格

型号

封装

包装信息

BSTG75V650

TO247-3

——

结构示意


                              BSTG75V650结构示意




上一条:650V 50A IGBT
下一条:[ 产品中心 ]
 产品推荐
  • Copyright www.bstsemi.com © 2020 All Rights Reserved 玄武石半导体(武汉)有限公司 版权所有
  • 地址:武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋1103室
  • 联系人: 王先生
  • 邮箱:Allan.w@bstsemi.com
  • 鄂ICP备2022012644号-1